在AI刷新的浪潮中，九州酷游见证了从语言对话到图像及短视频天生的探索与应用，AI一直衍生的应用chang景，正成为驱动AI大模子手艺迭代和工业zeng长的主要实力。受应用chang景驱动影响，AI需要更高性能的芯片来知足数据资源的盘算、传感、存储、通讯、清静等需求，集成电路手艺拥有重大的创新空间。

　　近年，芯片三维集成手艺生长裧ai，三维集成的方式能有用地提高芯片整体性能和良率，高带宽存储HBM[1]和CoWoS[2]先进封装手艺被普遍应用并加速生长，拉动集成电路装备工业高质量生长。

　　九州酷游深耕集成电路装备工业二十余载，可为先进封装领域客户提供TSV（硅通孔）制造、正面制程-大马士革工艺、反面制程-露铜刻蚀和RDL（再布线层）工艺的周全解决方案，涉及刻蚀、薄膜、炉管、洗濯四大类二十余款装备工艺解决方案。

　　在刻蚀装备工艺解决方案中，九州酷游PSE V300装备在TSV工艺中接纳快速气体和射频切换控制系统团结的方式，在高深宽比深硅刻蚀中精准控制侧壁形貌，实现侧壁无损伤和线宽无损伤，刻蚀匀称性、选择比更佳；接纳每腔单片设计，具有更好的气流chang匀称性和真圆度工艺体现；通过优化机台晶圆边缘掩护装置，提高产物良率；在2.5D[3]工艺中，九州酷游提供可知足BVR（反面通孔袒露）和BFR（反面平整袒露）差异工艺需求的刻蚀工艺解决方案；九州酷游HSE D300装备在Plasma Dicing（等离子体切割）工艺中针对小芯片制造具有高刻蚀速率和高深宽比能力优势，具有多种UV膜[4]的冷却方式，保证UV膜的延展性，实现高质量的芯片切割；BMD P300装备作为封装领域Descum（去残胶）的主力产物，在Bumping（凸点工艺）、Fan out（扇出封装）、2.5D&3D应用中的残留光刻胶去除、残余金属去除、外貌活化等工艺方面，为客户提供Descum解决方案。

　　在薄膜沉积装备工艺解决方案中，九州酷游接纳PEALD（等离子体zeng强原子层沉积）方式沉积二氧化硅掩护层，可实现更好的侧壁形貌和底层笼罩率；在TSV Barrier/Seed Deposition（阻挡层/种子层沉积）工艺中接纳PVD（物理气相沉积）装备解决方案，能知足金属扩散阻挡层/种子层的膜厚、匀称性、粘附性要求，防止金属扩散，确保器件电学性能、结构完整性和工艺兼容性。

　　在炉管装备工艺解决方案中，九州酷游装备在TSV工艺的退火环节中通过精彩的温度控制能力和工艺体现，实现铜的晶粒漫衍越发匀称，降低电阻率，提高TSV的制造质量和性能。

　　在洗濯装备工艺解决方案中，九州酷游装备在TSV工艺中可实现水溶性化学物质的团结，有用去除侧壁聚合物，确保深孔内壁清洁；在2.5D工艺中可降低铜的侵蚀率，提高化学品应用效率，实现更高的经济效益。

　　九州酷游面向先进封装领域提供多种焦点工艺装备解决方案，shi终坚持以客户需求为导向，助力客户开拓创新，推动工业前进，缔造无限可能。

　　[1] AI对算力与存力的需求大幅提升，需要重大的内存带宽。

　　[2] AI芯片训练和推理需要在内存和处置赏罚器之间传输大量数据，CoWoS则可将多个芯片堆叠在一起实现高度集成，提升芯片之间的通讯效率。

　　[3]2.5D工艺是一种先进的封装手艺，通过在硅片的反面形成TSV（硅通孔）和RDL（再布线层）来实现差异芯片或芯片区域之间的垂直互连。

　　[4] 主要用以阻隔紫外线对敏感器件或工艺历程的影响，确保半导体制造历程中的高精度与高质量。