快速热处置赏罚系列装备可通过瞬间提高工艺温度并准确控制温度匀称性，实现对半导体质料的改性和调控，包罗快速热退火（RTA），原位水气氧化（ISSG）、等离子体氮化（DPN）等装备，应用于离子注入后的热退火，金属硅化物形成、低界面态缺陷氧化膜天生、等离子体氮化等工艺，在极大规模先进集成电路制造的存储、逻辑、功率等领域普遍应用，现在种种装备已在产线规模量产，凭jie优良的工艺性能成为客户的优选。
