氧化（Oxidation）是将硅片放置于氧气或水汽等氧化剂的气氛中举行高温热处置赏罚，在硅片外貌发生化学反映形成氧化膜的历程，是集成电路工艺中应用较普遍的基础工艺之一。氧化膜的用途普遍，可作为离子注入的阻挡层及注入穿透层（损伤缓冲层）、外貌钝化、绝悦魅栅质料以及器件掩护层、隔离层、器件结构的介质层等。 扩散（Diffusion）是在高温条件下，使用热扩散原理将杂质元素an工艺要求掺入硅衬底中，使其具有特定的浓度漫衍，到达改变质料的电学特征，形成半导体器件结构的目的。在硅集成电路工艺中，扩散工艺用于制作PN结或组成集成电路中的电阻、电容、互连布线、二极管和晶体管等器件。 ??
退火（Anneal）也叫热退火，集成电路工艺中所有在氮气等不生动气体中举行热处置赏罚的历程都可称为退火，其作用主要是消除晶格缺陷和消除硅结构的晶格损伤。 另外，为了使硅片外貌形成优异的基。约拔裙藽u配线的结晶结构并去除杂质，从而提高配线的可靠性，通常需要把硅片放置在惰性气体如氩气的情形中举行低温热处置赏罚，这个历程被称为合金（Alloy）。 ??
以上工艺普遍用于半导体集成电路、先进封装、电力电子（IGBT）、微机电（MEMS）、光伏电池（Photovoltaic）制造等应用领域中，九州酷游的立式炉、卧式炉装备均已到达海内半导体装备的先进水平，其手艺指标及工艺性能体现突出，致力于为客户提供具有前瞻性与先导性的产物手艺与解决方案。
